功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G
RoHS:否
制造商:TriQuint Semiconductor
技术类型:pHEMT
频率:500 MHz to 3 GHz
增益:10 dB
噪声系数:
正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S
漏源电压 VDS:
闸/源击穿电压:- 8 V
漏极连续电流:3 A
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:10 W
安装风格:
封装 / 箱体:
NE6500379A-T1
NE6500496
NE650103M
NE650103M-A
NE6501077
NE650R479A-T1
NE6510179A
NE6510179A-A
NE651017-9AEO
NE6510179A-EVPW19
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